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薄膜開關(guān)的生長特性

薄膜開關(guān)的生長特性受沉積條件的影響,其中主要的因素有沉積速率、基片溫度、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等。
對于不同類型的金屬,沉積速率的影響程度是不同的,這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質(zhì)和表面狀況有關(guān)。即使是同一種金屬,在不同的工藝條件下,沉積速率對薄膜結(jié)構(gòu)的影響也不完全一致。一般說來,沉積速率會(huì)影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等。。
在低沉積速率的情況下,金屬原子在基片上遷移的時(shí)間比較長,容易到達(dá)吸附點(diǎn)位置,或被處于其他吸附點(diǎn)位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒,使得薄膜的結(jié)構(gòu)粗糙,PET薄膜開關(guān)的薄膜不致密。。
同時(shí)由于沉積原子到達(dá)基片后,后續(xù)原子還沒有及時(shí)到達(dá),因而暴露在外時(shí)間比較長,容易受殘余氣體分子或沉積過程中引人的雜質(zhì)的污染,以及產(chǎn)生各種缺陷等。。
因此,沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細(xì)小,結(jié)構(gòu)致密,但由于同時(shí)凝結(jié)的核很多,在能量上核處于能量比較高的狀態(tài),所以薄膜開關(guān)存在著比較大的內(nèi)應(yīng)力,同時(shí)缺陷也較多。
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