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矩形雙面超導(dǎo)薄膜開關(guān)

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制作矩形雙面超導(dǎo)薄膜時(shí)所需的主干結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示,薄膜的中間為基底層,分布在基底層的兩側(cè)依序?yàn)槌瑢?dǎo)層和外部的金屬層(一般為金層),這種結(jié)構(gòu)在設(shè)計(jì)和使用上具有W下幾項(xiàng)優(yōu)勢。

(1)基底層的雙面均可W生長超導(dǎo)層,減小成本,降低裝置的重量。

(2)同時(shí)還可W減少基底層的用量,再次減少部分成本。

(3)方便優(yōu)化薄膜表面的磁場和電場,減少載流消耗。

(4)雙面薄膜失超時(shí),由于超導(dǎo)層所共同擁有的基底層相互傳導(dǎo)熱量,可提高失超傳播速度,平衡基底層兩面的失超同步性。


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